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參數(shù)資料
| 型號： | HYMR1816-653 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM Module |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | HYMR1816-653 |
Rev. 0.0/ Feb. 99
Page 7
HYMR11648/11848 Series
Preliminary
I
DD
- V
DD
Supply Current Profile
I
CMOS
- V
CMOS
Supply Current Profile
I
DD
RIMM module power test conditions
-600
Max
-800
Max
Unit
I
DD1
All RDRAMs in powerdown, self-refresh mode
TBD/TBD
a
mA
I
DD2
All RDRAMs in NAP mode
TBD
mA
I
DD3
All RDRAMs in Standby mode, no commands
TBD
TBD
mA
I
DD4
All RDRAMs in Active mode, no commands
TBD
TBD
mA
I
DD5
All RDRAMs running refresh cycles, with t
RC
= t
RC,MIN
TBD
TBD
mA
I
DD6
All RDRAMs running refresh cycles, with t
RC
= t
REF
/# of rows
TBD
TBD
mA
I
DD7
One RDRAM cycling t
RC
= min, 1 bank, no COL packets, remainder of RDRAMs in
Standby
TBD
TBD
mA
I
DD8
One RDRAM cycling t
RC
= min, 1 bank, two dualocts per activate (32-byte transfers),
remainder of RDRAMs in Standby
TBD
TBD
mA
I
DD9
One RDRAM burst read/write, 1 bank open, full bandwidth, COL address changing every
dualoct, remainder of RDRAMs in Standby
TBD
TBD
mA
a. For modules with a -LP designator.
I
CMOS
RIMM module power test conditions
Max
Unit
I
CMOS1
Current when RDRAMs are in powerdown, self-refresh state
TBD
mA
I
CMOS2
Current when CMOS pins are used for register read/write operations (f=1MHz)
TBD
mA
I
CMOS3
Current when CMOS pins are used for power management operations (f=100MHz)
TBD
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMR1816-840 | RAMBUS DRAM Module |
| HYMR1816-845 | RAMBUS DRAM Module |
| HYMR1832-653 | RAMBUS DRAM Module |
| HYMR1832-840 | RAMBUS DRAM Module |
| HYMR1832-845 | RAMBUS DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY-P701B | 制造商:Crouzet 功能描述: |
| HY-P701C | 制造商:Crouzet 功能描述: |
| HY-P701D | 制造商:Crouzet 功能描述: |
| HYPERLOG30180 | 功能描述:ANTENNA LOG 380MHZ-18GHZ RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 天線 系列:HyperLOG® 標準包裝:1 系列:* |
| HYPERLOG4060 | 功能描述:ANTENNA LOG 400MHZ-6GHZ RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 天線 系列:HyperLOG® 標準包裝:1 系列:* |
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