參數(shù)資料
型號(hào)： HYR 166430G
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 128MB Rambus RIMM Modules(128M位 Rambus RIMM 模塊)
中文描述： 128MB的Rambus公司RIMM的模塊（128兆位Rambus的RIMM的模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大?。?/td> 323K
代理商： HYR 166430G
HYR 16xx30G/HYR 18xx20G
Rambus RIMM Modules
Data Book
9
2.00
1)
The table below shows the number of 128 Mbit RDRAM devices contained in a RIMM module of
listed memory storage capacity
.
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter
Limit Values
Unit
min.
max.
V
DD
+ 0.3
V
I,ABS
Voltage applied to any RSL or CMOS signal pad with
respect to GND
Voltage on
V
DD
with respect to GND
Storage temperature
– 0.3
V
V
DD,ABS
T
STORE
– 0.5
V
DD
+ 1.0
100
V
°
C
– 50
DC Recommended Electrical Conditions
Symbol
Parameter and Conditions
Limit Values
Unit
min.
max.
V
DD
V
CMOS
Supply voltage
2.50 – 0.13
2.50 + 0.13
V
CMOS I/O power supply at pad for
2.5 V controllers:
CMOS I/O power supply at pad for
1.8 V controllers:
2.5 – 0.13
1.8 – 0.1
2.5 + 0.25
1.8 + 0.2
V
V
V
REF
V
IL
V
IH
V
IL,CMOS
V
IH,CMOS
V
OL,CMOS
Reference voltage
1.4 – 0.2
V
REF
– 0.5
V
REF
+ 0.2
– 0.3
0.5
V
CMOS
+ 0.25
V
CMOS
+ 0.7
–
1.4 + 0.2
V
REF
– 0.2
V
REF
+ 0.5
0.5
V
CMOS
– 0.25
V
RSL input low voltage
V
RSL input high voltage
V
CMOS input low voltage
V
CMOS input high voltage
V
CMOS output low voltage @
I
OL,CMOS
= 1 mA
CMOS output high voltage @
I
OH,CMOS
= – 0.25 mA
V
REF
current @
V
REF,MAX
0.3
V
V
OH,CMOS
V
CMOS
– 0.3
–
V
I
REF
– 10
×
no.
RDRAMs
1)
– 10
×
no.
RDRAMs
1)
10
×
no.
RDRAMs
1)
10
×
no.
RDRAMs
1)
μ
A
I
SCK,CMD
CMOS input leakage current @
(0
≤
V
CMOS
≤
V
DD
)
CMOS input leakage current @
(0
≤
V
CMOS
≤
V
DD
)
μ
A
I
SIN,SOUT
– 10.0
10.0
μ
A
RIMM Module Capacity
64/72 MB
128/144 MB
256/288 MB
Number of 128/144 Mbit RDRAM devices 4
8
16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYR 183220G 72MB Rambus RIMM Modules(72M位 Rambus RIMM 模塊)
HYR163249G-653 Direct RDRAM RIMM Modules (with 288 Mbit RDRAMs)
HYR166449G-653 Direct RDRAM RIMM Modules (with 288 Mbit RDRAMs)
HYR163249G-840 Direct RDRAM RIMM Modules (with 288 Mbit RDRAMs)
HYR166449G-845 SENSOR, MINIATURE, NTC, 10K; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Beta value:3988; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. max:155(degree C); Case RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYR166430G-653 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RAMBUS DRAM Module
HYR166430G-745 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RAMBUS DRAM Module
HYR166430G-840 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RAMBUS DRAM Module
HYR166430G-845 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RAMBUS DRAM Module
HYR166440G-653 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Direct RDRAM RIMM Modules (with 288 Mbit RDRAMs)
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