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參數(shù)資料
| 型號： | HYS 64V8220GDL |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3 V SDRAM Module(3.3 V SDRAM 模塊) |
| 中文描述： | 3.3伏內(nèi)存模塊（3.3伏內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 9/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | HYS 64V8220GDL |
HYS 64V4200GDL/HYS 64V8220GDL
144-pin SO-DIMM SDRAM Modules
Data Book
9
12.99
Refresh Cycle
Refresh Period (4096 cycles)
t
REF
t
SREX
–
64
–
64
ms
–
Self Refresh Exit Time
1
–
1
–
CLK
6)
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
3
–
3
–
ns
–
Data Out to Low Impedance Time
1
–
0
–
ns
–
Data Out to High Impedance Time
3
7
3
8
ns
7)
DQM Data Out Disable Latency
–
2
–
2
CLK
–
Write Cycle
Data Input to Precharge
(write recovery)
t
WR
2
–
2
–
CLK
–
DQM Write Mask Latency
t
DQW
0
–
0
–
CLK
–
AC Characteristics
(cont’d)
1), 2)
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS 64V4200GDL | 3.3 V SDRAM Modules(3.3 V 同步動態(tài)RAM模塊) |
| HYS 64V8301GU | 3.3 V 8M *64/72-Bit SDRAM Modules(3.3 V 8M×64/72-Bit 同步動態(tài)RAM 模塊) |
| HYS 72D128020GR | 2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules(2.5 V 184腳、1G位寄存型 DDR-I SDRAM 模塊) |
| HYS 72D32000GR | 2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules(2.5 V 184腳、256M位寄存型 DDR-I SDRAM 模塊) |
| HYS 72D64000GR | 2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules(2.5 V 184腳、512M位寄存型 DDR-I SDRAM 模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYS64V8220GDL-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYS64V8220GU-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V8220GU-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V8220GU-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V8301GU-7.5-C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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