參數(shù)資料
型號(hào): HYS64V16302GU-7-D
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168-pin Unbuffered DIMM Modules
中文描述: 3.3伏1,600】64位,128MByte SDRAM內(nèi)存模塊168針腳無緩沖DIMM模塊
文件頁(yè)數(shù): 7/13頁(yè)
文件大小: 89K
代理商: HYS64V16302GU-7-D
HYS 64V16302GU
SDRAM-Modules
INFINEON Technologies
7
9.01
AC Characteristics
1), 2)
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-7
PC133-222
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
min.
max
min.
max. min.
max.
Clock
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
7.5
7.5
7.5
10
10
10
ns
ns
System Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
f
CK
133
133
133
100
100
100
MHz
MHz
Clock Access Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
5.4
5.4
5.4
6
6
6
ns
ns
3), 4)
Clock High Pulse Width
t
CH
t
CL
2.5
2.5
3
ns
4)
Clock Low Pulse Width
2.5
2.5
3
ns
4)
Setup and Hold Times
Input Setup Time
t
CS
t
CH
t
SB
t
PDE
t
RSC
t
T
1.5
1.5
2
ns
5)
Input Hold Time
0.8
0.8
1
ns
5)
Power Down Mode Entry Time
1
1
1
CLK
6)
Power Down Mode Exit Setup Time
1
1
1
CLK
7)
Mode Register Setup Time
2
2
2
CLK
Transition Time (rise and fall)
1
1
1
ns
Common Parameters
RAS to CAS Delay
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
15
20
20
ns
Precharge Time
15
20
20
ns
Active Command Period
42
45
100k 50
100k ns
Cycle Time
60
67.5
70
ns
Bank to Bank Delay Time
14
15
16
ns
CAS to CAS Delay Time (same bank)
t
CCD
1
1
1
CLK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS64V16302GU-8-C2 3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168-pin Unbuffered DIMM Modules
HYS64V16302GU 3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168-pin Unbuffered DIMM Modules
HYS64V16302GU-7.5-C2 SDRAM|16MX64|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC
HYS64V2100GCU-10 3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
HYS72V2100GCU-10 3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
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