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參數(shù)資料
| 型號： | HYS64V8200GU-8B |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3 V 8M x 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module 3.3 V 16M x 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module |
| 中文描述： | 3.3伏8米× 64/72-Bit一銀行內(nèi)存模塊3.3伏16米x 64/72-Bit 2銀行內(nèi)存模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 9/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | HYS64V8200GU-8B |
HYS64V8200GDL/HYS64V16220GDL
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
INFINEON Technologies
9
9.01
Refresh Cycle
Refresh Period
(4096 cycles)
t
REF
–
64
–
64
–
64
ms
Self Refresh Exit Time
t
SREX
1
–
1
–
1
–
CLK
6
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
3
–
3
–
3
–
ns
Data Out to Low Impedance Time
0
–
0
–
0
–
ns
Data Out to High Impedance Time
3
7
3
7
3
8
ns
7
DQM Data Out Disable Latency
–
2
–
2
–
2
CLK
Write Cycle
Data Input to Precharge
(write recovery)
t
WR
2
–
2
–
2
–
CLK
DQM Write Mask Latency
t
DQW
0
–
0
–
0
–
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-7
PC133-222
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
min.
max.
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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