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參數(shù)資料
| 型號： | HZ-LSERIES |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | HZ-LSERIES |
HZ-L Series
Rev.1, Nov. 1996, page 2 of 7
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
400
mW
Junction temperature
Tj
175
°C
Storage temperature
Tstg
-55 to +175
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)
*
Min
1
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Test
Condition
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
0.5
V
R
(V)
2.0
I
Z
(mA)
0.5
HZ6L
A1
5.2
5.5
1
150
A2
5.3
5.6
A3
5.4
5.7
B1
5.5
5.8
80
0.5
B2
5.6
5.9
B3
5.7
6.0
C1
5.8
6.1
60
0.5
C2
6.0
6.3
C3
6.1
6.4
HZ7L
A1
6.3
6.6
0.5
1
3.5
60
0.5
A2
6.4
6.7
A3
6.6
6.9
B1
6.7
7.0
B2
6.9
7.2
B3
7.0
7.3
C1
7.2
7.6
C2
7.3
7.7
C3
7.5
7.9
HZ9L
A1
7.7
8.1
0.5
1
6.0
60
0.5
A2
7.9
8.3
A3
8.1
8.5
Note:
1. Tested with DC.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZ-PSERIES | |
| HZ16L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZ12L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZ18L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZ24L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZLXT12102BC.B0 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HZM | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM10N | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM10NB | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM10NB1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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