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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZ4B1 |
| 廠(chǎng)商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | HZ4B1 |
HZ Series
Rev.2, Nov. 1999, page 3 of 8
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)
*
Min
1
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Test
Condition
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
1.0
I
Z
(mA)
5
HZ4
B1
3.7
3.9
5
100
B2
3.8
4.0
B3
3.9
4.1
C1
4.0
4.2
C2
4.1
4.3
C3
4.2
4.4
HZ5
A1
4.3
4.5
5
5
1.5
100
5
A2
4.4
4.6
A3
4.5
4.7
B1
4.6
4.8
B2
4.7
4.9
B3
4.8
5.0
C1
4.9
5.1
C2
5.0
5.2
C3
5.1
5.3
HZ6
A1
5.2
5.5
5
5
2.0
40
5
A2
5.3
5.6
A3
5.4
5.7
B1
5.5
5.8
B2
5.6
5.9
B3
5.7
6.0
C1
5.8
6.1
C2
6.0
6.3
C3
6.1
6.4
HZ7
A1
6.3
6.6
5
1
3.5
15
5
A2
6.4
6.7
A3
6.6
6.9
B1
6.7
7.0
B2
6.9
7.2
B3
7.0
7.3
Note:
1. Tested with DC.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZ4B2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZ4B3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZ4C1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZ4C2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZ4C3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZ4B1(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZ4B2 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE (86I) |
| HZ4B2(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZ4B3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZ4B3(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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