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參數(shù)資料
| 型號： | HZM10N |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | SWITCH TACT 160GF H=4.3MM |
| 中文描述： | 硅外延平面穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | HZM10N |
HZM-N Series
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C) (cont)
Zener Voltage*
Reverse Current
Dynamic Resistance
Test
Condition
V
Z
(V)
Min
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
2.5
I
Z
(mA)
5
HZM5.6N
B
5.31
5.92
5
80
B1
5.31
5.55
B2
5.49
5.73
B3
5.67
5.92
HZM6.2N
B
5.86
6.53
5
2
3.0
50
5
B1
5.86
6.12
B2
6.06
6.33
B3
6.26
6.53
HZM6.8N
B
6.47
7.14
5
2
3.5
30
5
B1
6.47
6.73
B2
6.65
6.93
B3
6.86
7.14
HZM7.5N
B
7.06
7.84
5
2
4.0
30
5
B1
7.06
7.36
B2
7.28
7.60
B3
7.52
7.84
HZM8.2N
B
7.76
8.64
5
2
5.0
30
5
B1
7.76
8.10
B2
8.02
8.36
B3
8.28
8.64
HZM9.1N
B
8.56
9.55
5
2
6.0
30
5
B1
8.56
8.93
B2
8.85
9.23
B3
9.15
9.55
HZM10N
B
9.45
10.55
5
2
7.0
30
5
B1
9.45
9.87
B2
B3
9.77
10.11
10.21
10.55
Note:
Tested with pulse (P
W
= 40ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZM15N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM16N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM18N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM2.7N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM20N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZM10NB | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM10NB1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM10NB1TL-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| HZM10NB2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM10N-B2(TR) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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