參數(shù)資料
型號： HZM27WA
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管)
中文描述： 硅外延平面齊納二極管浪涌吸收（用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 30K
代理商： HZM27WA
HZM27WA
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
*1
200
mW
Junction temperature
Tj
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note
1. Two device total, See Fig.2.
Tstg
-55 to +150
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
*1
Item
Zener voltage
Symbol
V
Z
I
R
C
Min
25.10
Typ
Max
28.90 V
Unit
Test Condition
I
Z
= 2 mA, 40ms pulse
V
R
= 21V
V
R
= 0V, f = 1 MHz
I
Z
= 2 mA
C =150pF, R = 330
, Both forward and
reverse direction 10 pulse
Reverse current
2
μ
A
Capacitance
*2
(27)
pF
Dynamic resistance
r
d
70
ESD-Capability
*3
30
kV
Notes
1. Per one device.
2. Reference only.
3. Failure criterion ; IR2
μ
A at VR = 21V.
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PDF描述
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