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參數(shù)資料
| 型號： | HZM6.8MWA |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | HZM6.8MWA |
HZM6.2ZMFA
Rev.0, May. 2002, page 3 of 6
Main Characteristics
t
Ta = 25
°
C
nonrepetitive
Fig.3 Surge Reverse Power Ratings
Time t (s)
1.0
10
N
R
10
2
10
3
10
4
10
–2
10
–1
1.0
10
–5
10
–4
10
–3
P
RSM
0
2
10
8
6
4
250
200
150
100
50
200
150
100
50
00
Fig.2 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Ambient Temperature Ta (
°
C)
P
1.0mm
0
Printed circuit board
25 62 1.6t mm
Glass Epoxy Resin+Cu Foil
Cu Foil
10
–5
10
–6
10
–4
10
–3
10
–2
Fig.1 Zener current vs. Zener voltage
Zener Voltage V
Z
(V)
Z
Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZM6.2ZWA | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| HZM6.8WA | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| HZM6.8ZFA | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| HZM6.8ZMWA | Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| HZM6.8ZWA | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZM68MWATL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM68ZMFA | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM68ZWA | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM7.5FA | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM7.5N | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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