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參數(shù)資料
| 型號： | HZS10N |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電源（用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | HZS10N |
HZS-N Series
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
Reverse Current
Dynamic Resistance
Test
Condition
V
Z
(V)*
Min
Test
Condition
I
R
(μA)
Max
Test
Condition
r
d
()
Max
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
0.5
I
Z
(mA)
5
HZS2.0N
B1
1.88
2.10
120
100
B2
2.02
2.20
HZS2.2N
B1
2.12
2.30
5
120
0.7
100
5
B2
2.22
2.41
HZS2.4N
B1
2.33
2.52
5
120
1.0
100
5
B2
2.43
2.63
HZS2.7N
B1
2.54
2.75
5
100
1.0
110
5
B2
2.69
2.91
HZS3.0N
B1
2.85
3.07
5
50
1.0
120
5
B2
3.01
3.22
HZS3.3N
B1
3.16
3.38
5
20
1.0
120
5
B2
3.32
3.53
HZS3.6N
B1
3.47
3.68
5
10
1.0
120
5
B2
3.62
3.83
HZS3.9N
B1
3.77
3.98
5
5
1.0
120
5
B2
3.92
4.14
HZS4.3N
B1
4.05
4.26
5
5
1.0
120
5
B2
4.20
4.40
B3
4.34
4.53
HZS4.7N
B1
4.47
4.65
5
5
1.0
100
5
B2
4.59
4.77
B3
4.71
4.91
HZS5.1N
B1
4.85
5.03
5
5
1.5
70
5
B2
4.97
5.18
B3
5.12
5.35
HZS5.6N
B1
5.29
5.52
5
5
2.5
40
5
B2
5.46
5.70
B3
5.64
5.88
HZS6.2N
B1
5.81
6.06
5
5
3.0
30
5
B2
5.99
6.24
B3
6.16
6.40
Note: Tested with pulse (P
W
= 40ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HZS11N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
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參數(shù)描述 |
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| HZS10NB3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS10NB4 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS11 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
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