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參數(shù)資料
| 型號： | HZS10NB2 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | HZS10NB2 |
HZS-N Series
Rev.1.00, Mar.11.2004, page 2 of 6
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Pd
Tj
Tstg
Value
400
200
55 to +175
Unit
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
V
Z
(V)*
1
Min
1.88
2.02
2.12
2.22
2.33
2.43
2.54
2.69
2.85
3.01
3.16
3.32
3.47
3.62
3.77
3.92
4.05
4.20
4.34
4.47
4.59
4.71
4.85
4.97
5.12
5.29
5.46
5.64
5.81
5.99
6.16
6.32
6.52
6.70
Reverse Current
I
R
(
μ
A)
Max
120
Dynamic Resistance
r
d
(
)
Max
100
Test
Condition
I
Z
(mA)
5
Test
Condition
V
R
(V)
0.5
Test
Condition
I
Z
(mA)
5
Type
HZS2.0N
Grade
B1
B2
B1
B2
B1
B2
B1
B2
B1
B2
B1
B2
B1
B2
B1
B2
B1
B2
B3
B1
B2
B3
B1
B2
B3
B1
B2
B3
B1
B2
B3
B1
B2
B3
Max
2.10
2.20
2.30
2.41
2.52
2.63
2.75
2.91
3.07
3.22
3.38
3.53
3.68
3.83
3.98
4.14
42.6
4.40
4.53
4.65
4.77
4.91
5.03
5.18
5.35
5.52
5.70
5.88
6.06
6.24
6.40
6.59
6.79
6.97
HZS2.2N
5
120
0.7
100
5
HZS2.4N
5
120
1.0
100
5
HZS2.7N
5
100
1.0
110
5
HZS3.0N
5
50
1.0
120
5
HZS3.3N
5
20
1.0
120
5
HZS3.6N
5
10
1.0
120
5
HZS3.9N
5
5
1.0
120
5
HZS4.3N
5
5
1.0
120
5
HZS4.7N
5
5
1.0
100
5
HZS5.1N
5
5
1.5
70
5
HZS5.6N
5
5
2.5
40
5
HZS6.2N
5
5
3.0
30
5
HZS6.8N
5
2
3.5
25
5
Note: 1. Tested with pulse (P
W
= 40 ms)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HZS11A1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS11A2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
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