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參數資料
| 型號： | HZS11L2 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | HZS11L2 |
HZS Series
Rev.3.00, Mar.11.2004, page 5 of 6
Main Characteristic
0
5
10 15 20 25 30 35 40
50
40
30
20
10
0
10
20
30
40
50
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
mV/
°
C
5
10
15
20
25
30
35
40
0
H
H
H
H
HB
HB
H
H
H
H
500
400
300
200
100
200
150
100
50
00
2.5 mm
3 mm
Printed circuit board
100 180 1.6t mm
Material: paper phenol
×
×
l
l = 5 mm
l = 10 mm
(Publication value)
Z
Z
Fig.1 Zener current vs. Zener voltage
Zener Voltage V
Z
(V)
10
–5
10
–6
10
–4
10
–3
10
–2
10
–7
10
–8
Z
γ
Z
°
C
Z
γ
Z
°
C
Fig.2 Temperature Coefficient vs. Zener voltage
Zener Voltage V
Z
(V)
%/
°
C
Fig.3 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Ambient Temperature Ta (
°
C)
P
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS7 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS9 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS11LB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS11LB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS11LB3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HZS11L3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS11LA1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS11LA2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS11LA3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS11LB1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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