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參數(shù)資料
| 型號： | HZS3.0NB2 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | CAP OXI NIOB 22UF 10V 20% SMD |
| 中文描述： | 硅外延平面齊納二極管穩(wěn)壓電源 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | HZS3.0NB2 |
HZS-N Series
Rev.1.00, Mar.11.2004, page 4 of 6
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
V
Z
(V)*
1
Min
26.99
27.70
28.36
29.02
29.68
30.32
30.90
31.49
32.14
32.79
33.40
34.01
34.68
35.36
36.00
36.63
Reverse Current
I
R
(
μ
A)
Max
0.2
Dynamic Resistance
r
d
(
)
Max
55
Test
Condition
I
Z
(mA)
5
Test
Condition
V
R
(V)
23
Test
Condition
I
Z
(mA)
5
Type
Grade
Max
28.39
29.13
29.82
30.51
31.22
31.88
32.50
33.11
33.79
34.49
35.13
35.77
36.47
37.19
37.85
38.52
B1
B2
B3
B4
B1
B2
B3
B4
B1
B2
B3
B4
B1
B2
B3
B4
HZS30N
HZS33N
5
0.2
25
65
5
HZS36N
5
0.2
27
75
5
HZS39N
5
0.2
30
85
5
Notes: 1. Tested with pulse (P
W
= 40 ms).
2. Type No. is as follows: HZS2.0NB1, HZS2.0NB2, HZS39NB4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS20NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS30NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS39NB1 | DIODE ZENER SINGLE 350mW 18Vz 7mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 14 SOT-23 3K/REEL |
| HZS39NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS39NB3 | DIODE ZENER DUAL ISOLATED 200mW 18Vz 7mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 14 SOT-363 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS30N-B2(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZS30NB3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS30N-B3(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZS30NB4 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS33 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
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