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參數(shù)資料
| 型號： | HZS33L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應用的平面外延齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面齊納二極管低噪聲應用（低噪音應用的平面外延齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | HZS33L |
HZS-L Series
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
400
mW
Junction temperature
Tj
200
°C
Storage temperature
Tstg
-55 to +175
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)*
Min
1
Test
Condition I
R
(
μ
A)
I
Z
(mA)
0.5
Test
Condition r
d
(
)
V
R
(V)
2.0
Test
Condition
Type
Grade
Max
Max
Max
I
Z
(mA)
0.5
HZS6L
A1
5.2
5.5
1
150
A2
5.3
5.6
A3
5.4
5.7
B1
5.5
5.8
80
0.5
B2
5.6
5.9
B3
5.7
6.0
C1
5.8
6.1
60
0.5
C2
6.0
6.3
C3
6.1
6.4
HZS7L
A1
6.3
6.6
0.5
1
3.5
60
0.5
A2
6.4
6.7
A3
6.6
6.9
B1
6.7
7.0
B2
6.9
7.2
B3
7.0
7.3
C1
7.2
7.6
C2
7.3
7.7
C3
7.5
7.9
HZS9L
A1
7.7
8.1
0.5
1
6.0
60
0.5
A2
7.9
8.3
A3
8.1
8.5
Note:
1. Tested with DC.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS36N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZS13N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZS15N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZS16N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HZS33NB2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS33NB3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
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| HZS36 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
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