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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS5B1 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 封裝： | MHD, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | HZS5B1 |
HZS Series
4
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z (V)*
1
Test
Condition I
R (A)
Test
Condition r
d ()
Test
Condition
Type
Grade
Min
Max
I
Z (mA)
Max
V
R (V)
Max
I
Z (mA)
HZS7
C1
7.2
7.6
5
1
3.5
15
5
C2
7.3
7.7
C3
7.5
7.9
HZS9
A1
7.7
8.1
5
1
5.0
20
5
A2
7.9
8.3
A3
8.1
8.5
B1
8.3
8.7
B2
8.5
8.9
B3
8.7
9.1
C1
8.9
9.3
C2
9.1
9.5
C3
9.3
9.7
HZS11
A1
9.5
9.9
5
1
7.5
25
5
A2
9.7
10.1
A3
9.9
10.3
B1
10.2
10.6
B2
10.4
10.8
B3
10.7
11.1
C1
10.9
11.3
C2
11.1
11.6
C3
11.4
11.9
HZS12
A1
11.6
12.1
5
1
9.5
35
5
A2
11.9
12.4
A3
12.2
12.7
B1
12.4
12.9
B2
12.6
13.1
B3
12.9
13.4
C1
13.2
13.7
C2
13.5
14.0
C3
13.8
14.3
Note:
1. Tested with DC.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0418A86LQKA-6 | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| IBM04364ARLAD-5N | 128K X 36 STANDARD SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| IBM13N4649CC-10T | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, DMA168 |
| IBM14P13724DPA-11 | 128K X 72 CACHE TAG SRAM MODULE, 11 ns, DMA182 |
| IC-624-KGT | DIP24, IC SOCKET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS5B2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS5B3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS5BLL | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Hard Knee Low Noise |
| HZS5BLL(TD) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZS5BLL(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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