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IXGR40N60C2G1

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
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  • 操作
  • IXGR40N60C2G1
    IXGR40N60C2G1

    IXGR40N60C2G1

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話(huà):19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2855

  • IXYS

  • ROHS

  • 1223+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫(kù)存!400-800-03...

  • IXGR40N60C2G1
    IXGR40N60C2G1

    IXGR40N60C2G1

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話(huà):1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • IXYS/艾賽斯

  • ISOPLUS247

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • IXGR40N60C2G1
    IXGR40N60C2G1

    IXGR40N60C2G1

  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話(huà):0755-8323763213302457603

    地址:福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • IXYS

  • IGBT 600V ISOPLUS247

  • 23+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨歡迎來(lái)電查詢(xún)!

  • IXGR40N60C2G1
    IXGR40N60C2G1

    IXGR40N60C2G1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • IXYS

  • ISOPLUS247

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
IXGR40N60C2G1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 56Amps 600V
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
IXGR40N60C2G1 技術(shù)參數(shù)
  • IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱(chēng):*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱(chēng):*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGR50N60B2D1 IXGR50N60BD1 IXGR50N60C2 IXGR50N60C2D1 IXGR50N90B2D1 IXGR55N120A3H1 IXGR60N60B2 IXGR60N60B2D1 IXGR60N60C2 IXGR60N60C2D1 IXGR60N60C2G1 IXGR60N60C3C1 IXGR60N60C3D1 IXGR60N60U1 IXGR6N170A IXGR72N60A3H1 IXGR72N60B3H1 IXGR72N60C3D1
配單專(zhuān)家

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