1N5264BTR

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制造商
Philips
功能描述
Diode Zener Single 60V 5% 500mW 2-Pin ALF T/R

1N5264BTR 技術(shù)參數(shù)

1N5264B-TP 功能描述:DIODE ZENER 60V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 46V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5264B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 2.2A 56V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 46V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5264B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 46V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5264BDO35 功能描述:DIODE ZENER 60V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 46V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5264B TR 功能描述:DIODE ZENER 60V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 46V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5265B TR 1N5265BDO35 1N5265BDO35E3 1N5265B-T 1N5265B-TAP 1N5265B-TP 1N5265B-TR 1N5265BUR-1 1N5265C-TAP 1N5265C-TR 1N5266 1N5266A 1N5266A (DO-35) 1N5266B 1N5266B (DO-35) 1N5266B BK 1N5266B TR 1N5266BDO35