1N645-1R

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1N645-1R 技術參數

1N645-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N645-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6392 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:54A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:820mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 45V 不同?Vr，F 時的電容:3000pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6391 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6386HE3_A/D 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101，TransZorb? 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:18V 電壓 - 擊穿（最小值）:21.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:50A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:汽車級不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,000 1N6464 1N6464US 1N6465 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472