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1N6481/25

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    1N6481/25

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯系人：銷售部經理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • Vishay Semiconductors

  • 標準封裝

  • 23+

  • -

  • 真實的資源竭誠服務您！

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  • 1
1N6481/25 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 整流器 1.0 Amp 400 Volt
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復時間
  • 1.2 us
  • 正向連續(xù)電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
1N6481/25 技術參數
  • 1N648-1 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6480HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6480HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6480-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6480-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6483-E3/97 1N6483HE3/96 1N6483HE3/97 1N6484-E3/96 1N6484-E3/97 1N6484HE3/96 1N6484HE3/97 1N6485 1N6485US 1N6486 1N6486US 1N6487 1N6487US 1N6488 1N6488US 1N6489 1N6489US 1N648UR-1
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