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2N5116JTX

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  • 2N5116JTXV02
    2N5116JTXV02

    2N5116JTXV02

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • VISHAY SI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 2N5116JTXL02
    2N5116JTXL02

    2N5116JTXL02

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Vishay Siliconix

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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2N5116JTX 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5116JTVL02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N5116JAN02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N5116-E3 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N5116 功能描述:JFET P-CH 30V 0.5W TO18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 15V 電阻 - RDS(開):150 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:500mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5115UB 功能描述:JFET P-Channel 30V 60mA @ 15V 500mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):60mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):6V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 15V 電阻 - RDS(開):100 歐姆 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5154L 2N5172 2N5172_D26Z 2N5172_D27Z 2N5172_D74Z 2N5172_D75Z 2N5179 2N5190 2N5190G 2N5191 2N5191G 2N5192 2N5192 SL H 2N5192G 2N5192R 2N5193 2N5194 2N5194G
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