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2N6519RLRA

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  • 深圳市湘達(dá)電子有限公司
    深圳市湘達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人：朱平

    電話(huà)：0755-83229772-83202753

    地址：辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 2486

  • MOT

  • 原廠(chǎng)

  • 21+

  • -

  • 百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，價(jià)格有優(yōu)勢(shì)。

  • 2N6519RLRA
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  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà)：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • 原廠(chǎng)原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
2N6519RLRA 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6519BU 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N6518TA 功能描述:TRANS PNP 250V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:45 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N6518BU 功能描述:TRANS PNP 250V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:45 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 2N6517TA 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6517RLRPG 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N656 2N6565 2N6565AP 2N6565RP 2N657 2N6609 2N6648 2N6649 2N6650 2N6660 2N6660-2 2N6660-E3 2N6660JTVP02 2N6660JTX02 2N6660JTXL02 2N6660JTXP02 2N6660JTXV02 2N6661
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