2SK223G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK223G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
51300
SANYO
Standard
2024+
-
一級代理商原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N 2SK2315TYTR-E 2SK2376(Q) 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100

2SK223G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK223G PDF下載

制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 10MA I(DSS) | TO-92

2SK223G 技術參數(shù)

2SK2231(TE16R1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:1 2SK2231(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:1 2SK2225-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 1A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:984.7pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3PFM，SC-93-3 供應商器件封裝:TO-3PFM 標準包裝:1 2SK2221-E 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK221100L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:87pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:迷你型P3-F1 標準包裝:1 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803