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2SK241-G

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  • 2SK241-GR
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  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話(huà)：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 28960

  • TOSHIBA

  • TO-92

  • 2022+

  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十，電話(huà)：0...

  • 2SK241-GR
    2SK241-GR

    2SK241-GR

  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà)：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • TOSHIB

  • 18+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 2SK241-GR
    2SK241-GR

    2SK241-GR

  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà)：0755-88608801多線(xiàn)17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 11630

  • TOSHIBA

  • 原廠(chǎng)原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝正品，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 2SK241-GR
    2SK241-GR

    2SK241-GR

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話(huà)：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9455

  • TOS

  • TO-92

  • 06+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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2SK241-G 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2394-7-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:16mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:300mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK2394-6-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:300mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK23800QL 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:50μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.3V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SS迷你型3-F2 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK2376(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3350pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標(biāo)片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2315TYTR-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 1A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:173pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:UPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL
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