2SK2624FG

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2SK2624FG
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-220F-3SG
SANYO
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應

2SK2624FG
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
59990
SANYO/三洋
TO-220F
17+
-
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2SK2624FG 技術(shù)參數(shù)

2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.8A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FI（LS）標準包裝:100 2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F1 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:1 2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F3 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:1 2SK2544(F) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.25 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2SK2507(F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M