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AOB262

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • YXYBDT臺灣

  • TO-263

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
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    聯(lián)系人：陳先生

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    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 59990

  • AO

  • SOT-263

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AOB262 技術(shù)參數(shù)
  • AOB2618L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta），23A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB260L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），140A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14200pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB2608L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 72A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），72A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2995pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB2606L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 72A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），72A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4050pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB25S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1278pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB286L AOB288L AOB2904 AOB290L AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB296L AOB298L AOB29S50L AOB409L AOB411L AOB411L_001 AOB412L AOB414 AOB414_001 AOB416 AOB418
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