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APT20M11JLL微波功率MOSFET管

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APT20M11JLL微波功率MOSFET管 技術(shù)參數(shù)
  • APT20GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:43A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:174W 開關(guān)能量:215μJ（開），245μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:100nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:8ns/80ns 測(cè)試條件:400V，20A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20GT60BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:43A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:174W 開關(guān)能量:215μJ（開），245μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:100nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:8ns/80ns 測(cè)試條件:400V，20A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 開關(guān)能量:230μJ（開），580μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:120nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:9ns/140ns 測(cè)試條件:400V，20A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20GN60BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 開關(guān)能量:230μJ（開），580μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:120nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:9ns/140ns 測(cè)試條件:400V，20A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 32A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:32A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 開關(guān)能量:2.7mJ 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:95nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:17ns/105ns 測(cè)試條件:- 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT20M22LVFRG APT20M22LVRG APT20M38BVFRG APT20M38BVRG APT20M38SVFRG APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L
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