APT25GN120SG/TR

配單專家企業(yè)名單

型號
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廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APT25GN120SG/TR
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT25GN120SG/TR
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
800
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

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APT25GN120SG/TR 技術(shù)參數(shù)

APT25GN120SG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 開關(guān)能量:- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:155nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:22ns/280ns 測試條件:800V，25A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GN120BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 開關(guān)能量:2.15μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:155nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:22ns/280ns 測試條件:800V，25A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GN120B2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 開關(guān)能量:2.15μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:155nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:22ns/280ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GLQ120JCU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 45A 170W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:170W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT24M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4595pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:390 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120SSCD10 APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRG APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2