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APT25GR120SSCD10

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  • APT25GR120SSCD10
    APT25GR120SSCD10

    APT25GR120SSCD10

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • Microsemi Power Products

  • 2016+

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  • 公司現(xiàn)貨！只做原裝！

  • APT25GR120SSCD10
    APT25GR120SSCD10

    APT25GR120SSCD10

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 250

  • MICROSEMI

  • 1521+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

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APT25GR120SSCD10 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
APT25GR120SSCD10 技術(shù)參數(shù)
  • APT25GR120SD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ（開），427μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT25GR120S 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ（開），427μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT25GR120BSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:434μJ（開），466μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT25GR120BD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ（開），427μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT25GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ（開），427μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J
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