APTM100A18FTG

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說明
操作

APTM100A18FTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產品

APTM100A18FTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原裝

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1

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功能描述
MOSFET 2 N CH 1000V 43A SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM100A18FTG 技術參數

APTM100A13SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:156 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A13SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:156 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A13DG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:156 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A12STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:68A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:616nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM08TDUM04PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4530pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM100DAM90G APTM100DDA35T3G APTM100DSK35T3G APTM100DU18TG APTM100DUM90G APTM100H18FG APTM100H35FT3G APTM100H35FTG APTM100H45FT3G APTM100H45SCTG APTM100H45STG APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG