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APTM100SK18TG

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM100SK18TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM100H80FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:960 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3876pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100H46FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:552 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:260nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100H45STG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100H45SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100H45FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100UM60FAG APTM100UM65DAG APTM100UM65SAG APTM100UM65SCAVG APTM10AM02FG APTM10AM05FTG APTM10DAM02G APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G
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