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APTM50DUM35TG

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APTM50DUM35TG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM50DUM35TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM50DUM25TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):149A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 74.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1200nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):29600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DUM19G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):163A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22.5 毫歐 @ 81.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):492nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DUM17G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 90A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):28000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DSKM65T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):51A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DSK10T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):37A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 18.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4367pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50HM75FTG APTM50HM75SCTG APTM50HM75STG APTM50SKM17G APTM50SKM19G APTM50SKM35TG APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG
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