APTM50HM38FG

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封裝
批號
價格
說明
操作

APTM50HM38FG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產品

APTM50HM38FG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

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功能描述
MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM50HM38FG 技術參數(shù)

APTM50HM35FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:99A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 49.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50H15FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM50H14FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:26A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:168 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3259pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50H10FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:37A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 18.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4367pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50DUM38TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG APTMC120AM25CT3AG APTMC120AM55CT1AG APTMC120HM17CT3AG