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APTM50HM65FTG

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTM50HM65FTG
    APTM50HM65FTG

    APTM50HM65FTG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP4

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTM50HM65FTG
    APTM50HM65FTG

    APTM50HM65FTG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTM50HM65FTG
    APTM50HM65FTG

    APTM50HM65FTG

  • 廣東濟(jì)德精密電子有限公司
    廣東濟(jì)德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：林

    電話：13288088530

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓

  • 4500

  • MICROCHIP

  • NA

  • 近兩年

  • -

  • 查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

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  • 1
APTM50HM65FTG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM50HM65FTG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM50HM65FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50HM38FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50HM35FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:99A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 49.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50H15FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50H14FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:168 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3259pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG APTMC120AM25CT3AG APTMC120AM55CT1AG APTMC120HM17CT3AG APTMC120HR11CT3AG APTMC120HR11CT3G
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