APTM60H23FT1G

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封裝
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價格
說明
操作

APTM60H23FT1G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP1
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTM60H23FT1G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APTM60H23FT1G
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
100
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

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功能描述
MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM60H23FT1G 技術參數(shù)

APTM60A23FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:276 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM60A11FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:132 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10552pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM50UM25SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 149A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:149A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 74.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:364nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17500pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:1 APTM50UM19SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 163A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:163A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 81.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:1 APTM50UM13SAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 335A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:335A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 167.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:800nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:42200pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG