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APTML1002U60R020T3AG_10

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Linear MOSFET Power Module
APTML1002U60R020T3AG_10 技術(shù)參數(shù)
  • APTML1002U60R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC60TLM55CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（三級反相器） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC60TLM14CAG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（三級反相器） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:219A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC60TL11CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（三級反相器） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:98 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:49nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC170AM60CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:53A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2.5mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3080pF @ 1000V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ
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