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AUIRLR2703TRR

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說(shuō)明
  • 操作
  • AUIRLR2703TRR
    AUIRLR2703TRR

    AUIRLR2703TRR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • FAIRCHILD

  • TO-252

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • AUIRLR2703TRR
    AUIRLR2703TRR

    AUIRLR2703TRR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
AUIRLR2703TRR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRLR2703TRR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRLR2703 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):450pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRLR120NTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):185 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):440pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRLR120N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):185 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):440pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRLR024ZTRL 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.9nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):380pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):35W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):58 毫歐 @ 9.6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRLR024Z 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):58 毫歐 @ 9.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRLR3410TRL AUIRLR3636 AUIRLR3705Z AUIRLR3915 AUIRLS3034 AUIRLS3034-7P AUIRLS3034-7TRL AUIRLS3036 AUIRLS3036-7P AUIRLS3036-7TRL AUIRLS3036TRL AUIRLS3114Z AUIRLS4030 AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030TRL AUIRLS8409-7P AUIRLS8409-7TRL
配單專(zhuān)家

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