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B82462G2332M000

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  • B82462G2332M000
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  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規(guī)13%專

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 27500

  • EPCOS

  • SMD

  • 17+

  • -
  • ★電感就找寶芯創(chuàng)/最誠實的電感磁珠搬運工...

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
B82462G2332M000 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 固定電感器 SMT-INDUCTOR 6X6 (low) 3.3UH
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 電感
  • 10 uH
  • 容差
  • 20 %
  • 最大直流電流
  • 1 A
  • 最大直流電阻
  • 0.075 Ohms
  • 工作溫度范圍
  • - 40 C to + 85 C
  • 自諧振頻率
  • 38 MHz
  • Q 最小值
  • 40
  • 尺寸
  • 4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
  • 屏蔽
  • Shielded
  • 端接類型
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 6.6 mm x 4.45 mm
B82462G2332M000 技術(shù)參數(shù)
  • B82462G2332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.05A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G2223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 830mA 245 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:830mA 電流 - 飽和值:830mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):245 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G2222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 32 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:2.55A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):32 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G2104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 950 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:410mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):950 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G2103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 106 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.25A 電流 - 飽和值:1.28A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):106 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G4105M000 B82462G4152M B82462G4153M B82462G4154M B82462G4222M B82462G4223M B82462G4224M B82462G4332M B82462G4333M B82462G4334M B82462G4472M B82462G4473M B82462G4474M B82462G4682M B82462G4683M B82462G4684M B82462G4684M000 B82462X0004
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