BFR 181W H6327

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

BFR 181W H6327
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
22075
INFINEON
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

BFR 181W H6327
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
INFINEON/英飛凌
SMD
22+
-
十年配單，只做原裝

BFR 181W H6327
深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室
12500
NA
NA
24+
-
原裝，公司部分現(xiàn)貨，有單來談QQ:161...

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BFR 181W H6327 PDF下載

功能描述
射頻雙極小信號(hào)晶體管 RF BIP TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶體管極性
NPN
最大工作頻率
7000 MHz
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
15 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
2 V
集電極連續(xù)電流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集電極/Base Gain hfe Min
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
SOT-223
封裝
Reel

BFR 181W H6327 技術(shù)參數(shù)

BFR 181W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 181T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BFR 181 E6780 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BFR 181 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 106 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 210mA 5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:210mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327