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BFR 182T E6327

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BFR 182T E6327
    BFR 182T E6327

    BFR 182T E6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
BFR 182T E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT)
  • 系列
  • -
  • 產(chǎn)品變化通告
  • Product Discontinuation 17/Dec/2010
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 4.7V
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換
  • 47GHz
  • 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）
  • 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
  • 增益
  • 9dB ~ 31dB
  • 功率 - 最大
  • 160mW
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
  • 160 @ 25mA，3V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 45mA
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 4-SMD，扁平引線
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 4-TSFP
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 其它名稱
  • BFP 740FESD E6327DKR
BFR 182T E6327 技術(shù)參數(shù)
  • BFR 182 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 182 B6663 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 BFR 181W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 181T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BFR 181 E6780 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215
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