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BS170_D75ZCT

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BS170_D75ZCT 技術(shù)參數(shù)
  • BS170_D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170_D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170_D27Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170_D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BS170P BS170PSTOA BS170PSTOB BS170RL1G BS170RLRA BS170RLRAG BS170RLRMG BS170RLRP BS170RLRPG BS170ZL1G BS-175.000MBB-T BS-175.000MBC-T BS-175.000MCB-T BS-175.000MCC-T BS-187.500MBB-T BS-187.500MBC-T BS-187.500MCB-T BS-187.500MCC-T
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