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BS210B3T31CSPEC2013

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BS210B3T31CSPEC2013 技術參數(shù)
  • BS2103F-E2 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:1V,2.6V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):60mA,130mA 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):600V 上升/下降時間(典型值):200ns,100ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 BS2101F-E2 功能描述:600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 BS2100F-E2 功能描述:IC DVR IGBT/MOSFET 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not For New Designs 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:1V,2.6V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):60mA,130mA 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):600V 上升/下降時間(典型值):200ns,100ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 BS20P-SHF-1AA(LF)(SN) 功能描述:20 位 接頭,無罩 連接器 0.098"(2.50mm) 通孔,直角 錫 制造商:jst sales america inc. 系列:NH 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 觸頭類型:公形引腳 連接器類型:接頭,無罩 針腳數(shù):20 加載的針腳數(shù):全部 間距:0.098"(2.50mm) 排數(shù):1 排距:- 觸頭配接長度:0.217"(5.50mm) 安裝類型:通孔,直角 端接:焊接 緊固類型:摩擦鎖 特性:- 觸頭鍍層:錫 觸頭鍍層厚度:- 顏色:自然色 標準包裝:200 BS202446EU 功能描述:STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE 制造商:panduit corp 系列:StructuredGround? 零件狀態(tài):有效 配件類型:結(jié)合螺柱 特性:24.000"(609.60mm)長度 配套使用產(chǎn)品/相關產(chǎn)品:機箱架 標準包裝:1 BS2180 BS-21-8-P BS-22-10 BS-22-10-P BS-22-6 BS-22-6-P BS-22-6S-P BS-22-8-P BS22-C BS22-M BS-23-10 BS-23-10-P BS2320-7R BS-23-6-P BS-23-8-P BS-2450 BS-250.000MBC-T BS-250.000MCC-T
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