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BSB013NE2LXIXT

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2

BSB013NE2LXIXT 技術(shù)參數(shù)

BSB013NE2LXI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta），163A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB012NE2LXIXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 170A WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5852pF @ 12V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSB012NE2LX 功能描述:MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:37A（Ta），170A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4900pF @ 12V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB012N03LX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:169nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16900pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB008NE2LXXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:343nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16000pF @ 12V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSB0203HA3-00CER BSB024N03LX G BSB028N06NN3 G BSB028N06NN3GXUMA1 BSB044N08NN3 G BSB044N08NN3GXUMA1 BSB053N03LP G BSB056N10NN3GXUMA1 BSB104N08NP3GXUSA1 BSB1270002 BSB1270003 BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1