BSB019N03LXG(1003)

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BSB019N03LXG(1003)
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2550
INFINEONT
2WDSON
08+
-
全新原裝現(xiàn)貨

BSB019N03LXG(1003)
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
638850
InfineonT
2WDSON
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OEM渠道，價格超越代理！

BSB019N03LXG(1003)
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
InfineonT
2WDSON
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BSB019N03LXG(1003) 技術(shù)參數(shù)

BSB019N03LX G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta），174A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 15V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSB017N03LX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta），147A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:102nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7800pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB01703HA3-00CAJ 功能描述:17X17X3MM 3V DC FAN, W/SPEED SEN 制造商:delta electronics 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 額定:3VDC 大小/尺寸:方形 - 17mm 長 x 17mm 高寬度:3.40mm 氣流:0.230 CFM（0.006m3/min）靜壓力:0.182 英寸水柱（45.3 Pa）軸承類型:套管風(fēng)扇類型:鼓風(fēng)機特性:轉(zhuǎn)子鎖定保護噪聲:26.5 dB（A）功率（W）:180mW RPM:12000 RPM 端接:3 位置矩形連接器侵入防護:- 工作溫度:14 ~ 140°F （-10 ~ 60°C）認可:- 重量:0.003 磅（1.36g）額定電流:0.060A 電壓范圍:2 ~ 3.5VDC 材料 - 框架:塑料材料 - 刀片:塑料不同溫度時的使用壽命:40°C 時為 30000 小時標準包裝:322 BSB015N04NX3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），180A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:142nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），89W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB015N04NX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:142nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB1270002 BSB1270003 BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1