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BSF035NE2LQ

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  • BSF035NE2LQXUMA1
    BSF035NE2LQXUMA1

    BSF035NE2LQXUMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會軒3607

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • MG-WDSON-2，CanPAK M?

  • 19+

  • -

  • 代理直銷！進口原裝正品！

  • BSF035NE2LQ
    BSF035NE2LQ

    BSF035NE2LQ

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • INFINEON

  • MG-WDSON-2

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，價格超越代理！

  • BSF035NE2LQ
    BSF035NE2LQ

    BSF035NE2LQ

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • MG-WDSON-2

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • BSF035NE2LQ
    BSF035NE2LQ

    BSF035NE2LQ

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3500

  • Infineon

  • 標準封裝

  • 13+

  • -

  • Infineon一級代理，價優(yōu)

  • BSF035NE2LQ
    BSF035NE2LQ

    BSF035NE2LQ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • MG-WDSON-2

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • BSF035NE2LQ
    BSF035NE2LQ

    BSF035NE2LQ

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 11630

  • INFINEON

  • 現(xiàn)貨低價出售

  • 18+

  • -

  • 原裝正品，優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
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BSF035NE2LQ 技術參數
  • BSF030NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），75A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），28W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSF030NE2LQ 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSF024N03LT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），106A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSF 功能描述:9V FEMALE SNAP 6-SIDED 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效 電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單） 樣式:觸點，卡入式（正極） 電池尺寸:9V 電池數:- 電池系列:- 安裝類型:自定義 端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標準包裝:1,000 BSE-120-01-L-D-LC 功能描述:.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSE 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插座，中央帶觸點 針腳數:240 間距:0.031"（0.80mm） 排數:2 安裝類型:表面貼裝 特性:板鎖 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:10μin（0.25μm） 接合堆疊高度:5mm，8mm 板上高度:0.128"（3.25mm） 標準包裝:500 BSF-HD BSG0810NDIATMA1 BSG0811NDATMA1 BSG0813NDIATMA1 BSH-020-01-C-D-A BSH-020-01-F-D BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2
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