BSL207NL6327XT

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH DUAL 20V 2.1A TSOP-6

BSL207NL6327XT 技術(shù)參數(shù)

BSL207NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2.1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL207NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2.1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP-6-1 標準包裝:3,000 BSL205NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL205NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:3,000 BSL202SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 7.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1147pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL215CH6327XTSA1 BSL215CL6327HTSA1 BSL215PL6327HTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SNL6327HTSA1 BSL303SPEH6327XTSA1 BSL305SPEH6327XTSA1 BSL306NH6327XTSA1 BSL306NL6327HTSA1 BSL307SP BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPL6327HTSA1 BSL307SPT BSL308CH6327XTSA1 BSL308CL6327HTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEL6327HTSA1