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BSZ115N03MSCG

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  • BSZ115N03MSCG
    BSZ115N03MSCG

    BSZ115N03MSCG

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • QFN

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  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • BSZ115N03MSCG
    BSZ115N03MSCG

    BSZ115N03MSCG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 24170

  • INFINEON

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  • 1521+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BSZ115N03MSCG
    BSZ115N03MSCG

    BSZ115N03MSCG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • QFN

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  • BSZ115N03MSCG
    BSZ115N03MSCG

    BSZ115N03MSCG

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4834

  • INFINEO

  • QFN

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  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

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BSZ115N03MSCG 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ110N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 22μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ110N06NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 23μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），50W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ110N06NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 23μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ105N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 14μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），35W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ105N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 14μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ215CHXTMA1 BSZ22DN20NS3 G BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1
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