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BSZ180P03NS3 G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSZ180P03NS3 G
    BSZ180P03NS3 G

    BSZ180P03NS3 G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 24485

  • INFINEON

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BSZ180P03NS3 G
    BSZ180P03NS3 G

    BSZ180P03NS3 G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3500

  • Infineon

  • S3O8

  • 13+

  • -

  • Infineon一級代理，價優(yōu)

  • BSZ180P03NS3 G
    BSZ180P03NS3 G

    BSZ180P03NS3 G

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 21000

  • INFINEON/英飛

  • PQFN 3.3x3

  • 22+

  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

  • BSZ180P03NS3 G
    BSZ180P03NS3 G

    BSZ180P03NS3 G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • DFN33

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • BSZ180P03NS3 G
    BSZ180P03NS3 G

    BSZ180P03NS3 G

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • INFINEON

  • 近兩年生產(chǎn)

  • DFN-8

  • -

  • 每一片都來自原廠

  • BSZ180P03NS3 G
    BSZ180P03NS3 G

    BSZ180P03NS3 G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Infineon

  • DFN33

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理，原裝正品現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
BSZ180P03NS3 G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-Channel -30V MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSZ180P03NS3 G 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.9A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 5.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ165N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.9A（Ta），31A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:840pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ165N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.9A（Ta），31A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:840pF @ 20V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ160N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 50V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C
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