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CMPDM7120GTR

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  • CMPDM7120GTR13
    CMPDM7120GTR13

    CMPDM7120GTR13

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOT23-3

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • CMPDM7120GTR
    CMPDM7120GTR

    CMPDM7120GTR

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 24000

  • Central

  • SOT-23

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • CMPDM7120GTRPB-FREE
    CMPDM7120GTRPB-FREE

    CMPDM7120GTRPB-FREE

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 8660

  • Central Semi

  • SOT23

  • 1651+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • CMPDM7120GTR
    CMPDM7120GTR

    CMPDM7120GTR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Central

  • SOT-23

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝正品現貨！

  • CMPDM7120GTR
    CMPDM7120GTR

    CMPDM7120GTR

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現貨，代找緊缺料

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
CMPDM7120GTR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
CMPDM7120GTR 技術參數
  • CMPDM7003 TR 功能描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 CMPDM7002AHC TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:240pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 CMPDM7002AG TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 CMPDM7002AG BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,500 CMPDM303NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 1.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應商器件封裝:SOT-23F 標準包裝:1 CMPH1W CMPH2 CMPH2C CMPH2W CMPHF1 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR CMPSH05-4C TR CMPSH1-4 BK CMPSH1-4 TR CMPSH-3 BK
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