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MCH6428

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說明
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  • MCH6428-TL-E
    MCH6428-TL-E

    MCH6428-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • SOT363

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • MCH6428-TL-E
    MCH6428-TL-E

    MCH6428-TL-E

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1340

  • 原裝SANYO

  • MCPH-6

  • 2011+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • MCH6428-TL-E
    MCH6428-TL-E

    MCH6428-TL-E

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部：中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2078

  • SANYO

  • MCPH6

  • 09+

  • -

  • 房間原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共24條 
  • 1
MCH6428 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全稱
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH6428 技術(shù)參數(shù)
  • MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:375mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:450MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式），邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 1A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.8nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD（5引線），扁引線 供應(yīng)商器件封裝:5-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6444-TL-H MCH6444-TL-W MCH6445-TL-W MCH6448-TL-H MCH6448-TL-W MCH6534-TL-E MCH6536-TL-E MCH6541-TL-E MCH6542-TL-E MCH6544-TL-E MCH6545-TL-E MCH6601-TL-E MCH6602-TL-E MCH6603-TL-H MCH6604-TL-E MCH6605-TL-E MCH6606-TL-E MCH6613-TL-E
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